Date: Wed, 11 Feb 2004 12:35:04 +0100 From: Giorgio Biasiol Per quanto riguarda il mio corso, lo sto per cominciare, in quanto lo terro' anche per i dottorandi del ciclo precedente. Il titolo e' "Crescita epitassiale di materiali semiconduttori". La durata sara' presumibilmente di 8 ore, e come programma di massima includera':   1.    Concetti generali dell'epitassia 2.    Tecniche epitassiali: Molecular Beam Epitaxy (MBE) 3.    Tecniche epitassiali: Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) 4.    Fabbricazione di nanostrutture di semiconduttori   (a seconda del tempo a disposizione alcuni degli argomenti potranno essere ridotti/soppressi...)   Lo terro' presso la sala seminari del Laboratorio TASC-INFM a Basovizza da venerdi' 13 febbraio alle ore 11:00. Cordiali saluti  ________________________________________________ Giorgio Biasiol Laboratorio TASC-INFM SS14, Km 163.5, Basovizza, 34012 Trieste ITALY Tel. +39 040 375 6431 / 6439 Fax +39 040 226767 e-mail biasiol@tasc.infm.it web http://www.tasc.infm.it/tasc/semic/hmmbe/  ________________________________________________